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SSM6N58NU ( FET - 阵列 )

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  • Category:  
    FET - 阵列
  • Part No.  
    SSM6N58NU
  • Manufature:  
  • Package:  
  • Description:  
    MOSF DL N CH 30V 4A UDFN6
  • Datasheet:  

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功率 - 最大值:  1W
安装类型:  表面贴装
系列:  -
FET 类型:  2 个 N 沟道(双)
FET 功能:  逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):  30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):  4A
制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage
供应商器件封装:  6-UDFN (2x2)