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HN1B04F ( 晶体管(BJT) - 阵列 )

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  • Category:  
    晶体管(BJT) - 阵列
  • Part No.  
    HN1B04F
  • Manufature:  
  • Package:  
  • Description:  
    TRAN PNP/NPN -30V -0.5A SM6
  • Datasheet:  

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电流 - 集电极截止(最大值):  100nA(ICBO)
功率 - 最大值:  300mW
频率 - 跃迁:  200MHz
安装类型:  表面贴装
系列:  -
晶体管类型:  NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):  500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):  30V
制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage
供应商器件封装:  SM6