| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 49nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 950pF @ 1000V |
| 功率 - 最大值： | 125W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 散装 |
| 系列： | - |
| FET 类型： | 4 个 N 通道 （三级反相器） |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 28A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 98 毫欧 @ 20A， 20V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 2.2V @ 1mA |
| 制造商： | Microsemi Power Products Group |
| 供应商器件封装： | SP3 |
广东发展银行：
开户名：深圳市新思汇科技有限公司
账 号：1020 1651 601000 1651
开户行：广东发展银行深圳金谷支行
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