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2SK3320-GR ( JFET(结点场效应) )

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  • Category:  
    JFET(结点场效应)
  • Part No.  
    2SK3320-GR
  • Manufature:  
  • Package:  
  • Description:  
    JFET DUAL N-CH USV
  • Datasheet:  

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漏极电流 (Id) - 最大值:  -
安装类型:  表面贴装
功率 - 最大值:  200mW
系列:  -
FET 类型:  N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):  -
漏源极电压 (Vdss):  -
制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage
供应商器件封装:  USV