| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大值： | 208W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 散装 |
| 系列： | - |
| FET 类型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 70A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 21 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 1mA |
| 制造商： | Microsemi Power Products Group |
| 供应商器件封装： | SP6-P |
