| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 7210pF @ 25V |
| 功率 - 最大值： | 1140W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 散装 |
| FET 类型： | 4 个 N 通道（H 桥） |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 31A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 220 毫欧 @ 19A，10V |
| 制造商： | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 供应商器件封装： | 16-MTP |
