| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | - |
| 功率 - 最大值： | 115W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 包装： | 管件 |
| FET 类型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 150A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 1.66 毫欧 @ 80A， 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | - |
| 制造商： | Fairchild Semiconductor |
| 供应商器件封装： | 模块 |
