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SI5511DC-T1-GE3 ( FET - 阵列 )

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  • Category:  
    FET - 阵列
  • Part No.  
    SI5511DC-T1-GE3
  • Manufature:  
  • Package:  
  • Description:  
    MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • Datasheet:  

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功率 - 最大值:  3.1W,2.6W
安装类型:  表面贴装
FET 类型:  N 和 P 沟道
FET 功能:  逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):  30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):  4A,3.6A
制造商:  Vishay Siliconix