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SIA511DJ-T1-GE3 ( FET - 阵列 )

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功率 - 最大值:  6.5W
安装类型:  表面贴装
FET 类型:  N 和 P 沟道
FET 功能:  逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):  12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):  4.5A
制造商:  Vishay Siliconix