| 功率 - 最大值： | 535W |
| Switching Energy： | 4.4mJ （开）， 1.4mJ （关） |
| 输入类型： | 标准 |
| Gate Charge： | 311nC |
| 反向恢复时间 (trr)： | 256ns |
| 安装类型： | 通孔 |
| 系列： | - |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 1200V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 100A |
| Current - Collector Pulsed (Icm)： | 200A |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 供应商器件封装： | TO-247 |
