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J111RL1G ( JFET(结点场效应) )

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  • Category:  
    JFET(结点场效应)
  • Part No.  
    J111RL1G
  • Manufature:  
  • Package:  
  • Description:  
    JFET N-CH 35V 350MW TO92
  • Datasheet:  

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漏极电流 (Id) - 最大值:  -
安装类型:  通孔
功率 - 最大值:  350mW
系列:  -
FET 类型:  N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):  35V
漏源极电压 (Vdss):  -
制造商:  ON Semiconductor
供应商器件封装:  TO-92-3